DS1972EPROM仿真模式用于保护数据不被意外擦除

DS1972 EPROM仿真模式，用于保护数据不被意外擦除

DS1972是一款1024位的1-Wire? EEPROM芯片，存储器分为四个页面，每页256位，采用坚固的iButton?封装。数据先被写入一个8字节暂存器，经校验后复制到EEPROM存储器。该器件的特点是四个存储页面相互独立，可以单独进行写保护或进入EPROM仿真模式，在该模式下，所有位的状态只能从1变成0。DS1972通过一条1-Wire总线进行通信，采用标准的1-Wire协议。每个器件都有不能更改的、唯一的64位ROM序列号，由工厂光刻写入芯片。在一个多节点1-Wire网络环境下，该序列号可以用作器件地址。

关键特性

1024位EEPROM存储器，分成四个页面，每页256位独立的存储页面，可以被永久写保护或进入EPROM仿真模式(“改写为0”)切换点滞回与滤波可以优化噪声指标IEC 1000-4-2 4级 ESD保护(±8kV接触放电、±15kV气隙放电模式)-40°C至+85°C温度范围内，可在2.8V至5.25V工作电压下进行读、写操作按照1-Wire协议，以15.4kbps或125kbps速率通过一条数字信号线与主机通信应用/使用

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